TrendForce旗下內(nèi)存調(diào)研機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù)顯示，今年P(guān)C整機(jī)的出貨量高峰已經(jīng)過去，十月份的筆記本出貨量逐步下滑，DRAM內(nèi)存需求和價格也持續(xù)走低，4GB DDR3內(nèi)存條平均價格下滑了1.54％，僅為16美元，最低的更是只要15.75美元，換成2Gb內(nèi)存顆粒僅僅只有0.83美元，幾乎與現(xiàn)貨顆粒價格完全相同。
2GB DDR3內(nèi)存條合約價仍與九月下旬相同，平均9.25美元，已經(jīng)基本沒有了繼續(xù)下跌的空間。
而在國內(nèi)市場上，4GB DDR3內(nèi)存條也已經(jīng)出現(xiàn)了大把大把的99元超低價，2GB的更是一片69元。
受宏觀經(jīng)濟(jì)形勢影響，各家廠商的DRAM內(nèi)存顆粒價格已經(jīng)逼近甚至低于成本價，而市場需求遲遲未見起色，目前仍處于供過于求的局面。
展望2013年，即便是身為老大的三星電子也是異常謹(jǐn)慎，除了放緩28nm工藝進(jìn)度，在極紫外光刻到來之前也只準(zhǔn)備再升級一次25nm，并且優(yōu)先將新工藝導(dǎo)入移動內(nèi)存生產(chǎn)線，重心也已偏離PC DRAM。
從2009年的60nm到2012年的30nm，DRAM內(nèi)存的生產(chǎn)工藝幾乎以每年1-1.5代的高速度前進(jìn)，但是經(jīng)濟(jì)形勢不佳、PC行業(yè)低迷、移動設(shè)備沖擊之下，PC更新?lián)Q代周期正在從2-3年拉長到4-5年，再加上技術(shù)難度增加，DRAM內(nèi)存的工藝進(jìn)步也失去了動力，目前仍是主打30nm，20nm預(yù)計要到明年下半年才會成為主流。
DRAMeXchange還預(yù)計，2013年全球DRAM內(nèi)存顆粒的出貨總?cè)萘恐粫鲩L22.2％，創(chuàng)下歷年來新低。
