DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范已經(jīng)基本制定完成，三星、海力士等也早都陸續(xù)完成了樣品，但因?yàn)镈DR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過一年半左右才進(jìn)入桌面。
據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級服務(wù)器平臺Haswell-EX將會第一個(gè)整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族，面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域，最多擁有16個(gè)核心，四路就是64核心。DDR4內(nèi)存不僅會帶來頻率的大幅提升(最高可達(dá)4266MHz)，更會有1.2V低電壓、更好的對等保護(hù)和錯誤恢復(fù)等技術(shù)，這些大規(guī)模用于服務(wù)器和企業(yè)中心自然能看到立竿見影的好處。
至于桌面上，22nm Haswell、14nm Broadwell都會使用相同的LGA1150封裝接口，內(nèi)存控制器自然也都局限于DDR3，DDR4的支持很可能要等到再往后的14nm工藝新架構(gòu)“Skylake”，那就是大約2015年的事情了。
另外，如果你擔(dān)心Haswell、Broadwell會因此在內(nèi)存性能上無所作為，倒也大可不必，因?yàn)橐粍tDDR3的頻率肯定會越來越高，二者這兩代新處理器會有超低延遲內(nèi)部內(nèi)存控制器總線、刷功能被浮點(diǎn)峰值發(fā)射率、FMA運(yùn)算、四級緩存等新特性，都有利于帶來更好的內(nèi)存性能。
